تونل زنی جوزفسونی از مولکول مغناطیسی ناهمسانگرد

پایان نامه
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک
  • نویسنده نسترن دشتی
  • استاد راهنما علی قربان زاده مقدم
  • تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
  • سال انتشار 1393
چکیده

تک مولکول مغناطیسی بستری مناسب برای توسعه ی سیستم های ترابرد اسپینی است. از این رو در سال های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته است. تحقیقات انجام شده روی انتقال الکترونیکی و اسپینی از مولکول های مغناطیسی، هنوز در مراحل اولیه است. به علاوه، تنها در سال های اخیر امکان اتصال تک مولکول های مغناطیسی به الکترودهای ابر رسانا فراهم گردیده است. در این مجموعه، هدف، مطالعه ی ویژگی های انتقال الکترونی از طریق سیستم های شامل تک مولکول های مغناطیسی جفت شده به الکترودهای ابررسانایی است. تک مولکول مغناطیسی، مولکولی است که مغناطش آن در مقیاس های زمانی طولانی، پایدار و شامل تعدادی فلز مغناطیسی در ابعاد نانو است که توسط لیگاندهای آلی محاصره شده اند. از آن جایی که ترازهای کوانتیزه، برهم کنش کولنی و تونل زنی کوانتومی نقش مهمی را در انتقال از تک مولکول مغناطیسی ایفا می کنند، مطالعه ی اثر جوزفسون در یک مولکول مغناطیسی ناهمسانگرد با ویژگی های مغناطیسی، که در تضاد با ابررسانایی است، جذاب و جالب خواهد بود. معمولاً تک مولکول های مغناطیسی ساختارهای پیچیده ای دارند. به علاوه، مدل سازی چنین ساختارهای پیچیده ای از لحاظ نظری بسیار دشوار است، بنابراین برای مطالعه عمومی روی ویژگی های انتقال مولکول های مغناطیسی، ساده سازی هایی صورت می گیرد. با درنظرگرفتن این موضوع، ساده ترین حالتی که در آن دو سهم اصلی ناشی از ناهمسانگردی اسپینی در مولکول وجود دارد، حالتی است که در آن اسپین برابر یک،$s=1$، است. ما اثر جوزفسون را در مولکول های مغناطیسی جفت شده به الکترودهای ابررسانا، مطالعه می کنیم. محاسبات در رژیم انسداد کولنی انجام می گیرد. همزمان با کارکردن در فرآیند هم تونل زنی، از روش نموداری زمان-حقیقی برای محاسبه ی جریان جوزفسونی سیستم استفاده می کنیم. در حد گاف ابررسانایی محدود، اثرات مغناطیسی یک مولکول را روی القای ابررسانایی بررسی می کنیم. همان طورکه می دانیم ابررسانایی که از زوج کوپر تشکیل شده است، یعنی دو الکترون با اسپین های مخالف، با ویژگی های مغناطیسی که می خواهد الکترون ها با اسپین های مختلف را هم راستا کند، در تضاد است. بااین وجود ما نشان داده ایم که در جفت شدگی ضعیف، افزایش تراز اوربیتالی و میدان مغناطیسی و جفت شدگی تبادلی در یک بازه ی مشخص، سبب تقویت جریان می شود. همچنین، مهم ترین دستاورد برای ما، وجود گذارهای صفر به پای است که با محاسبه جریان بر حسب میدان مغناطیسی، تراز اوربیتالی و جفت شدگی تبادلی مشاهده شده اند.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

محاسبه رسانندگی و زمان مشخصه تونل زنی الکترون از پیوندگاه فلز – مولکول (پلی استیلن) در یک سیم مولکولی

در این مقاله در چارچوب مدل بستگی قوی و یک روش تابع گرین تعمیم یافته و همچنین استفاده از الگوریتم lanczos آثار مربوط به قدرت پیوند گاه فلز - مولکول (mmc) بر گسیل الکترون از طریق یک سیستم فلز - تک مولکول - فلز (mmm) بررسی می شود. با کاربرد روش لانداور (landauer) برخی از خواص رسانندگی مهم این سیستم را به عنوان یک سیم مولکولی نیز مطالعه می کنیم. نتایج ما نشان می دهند که رسانندگی سیم مولکولی به صورت...

متن کامل

اثرات ناهمواری فصل مشترک بر روی ضریب عبوردهی در دیودهای تونل زنی تشدیدی مغناطیسی

در این مقاله اثر ناهمواری فصل مشترک بر روی عبوردهی الکتریکی وابسته به اسپین در یک اتصال تونل­زنی مغناطیسی بررسی می­شود. در محاسبات از روش ماتریس انتقال و تقریب جرم مؤثر برای محاسبۀ احتمال عبور استفاده شده است. ساختار مغناطیسی دو سدی مذکور شامل دو نیم رسانای فرومغناطیسی جدا شده­ با یک لایۀ غیرمغناطیسی است که به دو الکترود فلز غیرمغناطیسی متصل هستند. مؤلفه­های مختلف احتمال­ عبوردهی وابسته به اسپی...

متن کامل

مقاومت مغناطیسی تونل زنی در ساختارهای نامتجانس نیم رسانای مغناطیسی رقیق

پایان نامه حاضر به مطالعه و بررسی مقاومت مغناطیسی تونل زنی در نانو ساختار نامتجانس gaas/ gamnas مبتنی بر نیمرسانای مغناطیسی رقیق در حضور میدان مغناطیسی خارجی و همچنین بایاس اعمالی خارجی به صورت تئوری می پردازد .محاسبات در مدل الکترون تقریبا آزاد (جرم موثر) ودر چهارچوب تئوری ماتریس انتقال در رژیم همدوسی صورت گرفته است

اثر تونل زنی تزریقی بر پاسخ مدولاسیون لیزرهای نقطه کوانتومی

In this paper, modulation bandwidth characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot (QD) laser were theoretically investigated. Simulation was done by using the fourth order Runge-Kutta method. Effect of carrier relaxation life time, temperature and current density on characteristics of tunneling injection QD laser (TIL) and conventional QD laser (CL) were analyzed. Results showed that tunneling inj...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023